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IPB200N25N3 G /MOSFET N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB200N25N3 G的规格信息
IPB200N25N3 G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:250 V

Id-连续漏极电流:64 A

Rds On-漏源导通电阻:17.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:86 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

类型:OptiMOS 3 Power-Transistor

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:61 S

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:20 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:18 ns

零件号别名:IPB200N25N3GATMA1 IPB2N25N3GXT SP000677896

单位重量:4 g

供应商IPB200N25N3 G
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现代芯城（深圳）科技有限公司IPB200N25N3 Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPB200N25N3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IPB200N25N3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司IPB200N25N3 G龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司IPB200N25N3 G华强北现代之窗A 9D0755-23903154
13430590551		杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司IPB200N25N3 G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市博浩通科技有限公司IPB200N25N3 G华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
15989349634，13798567707		朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司IPB200N25N3 G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳瀚顺芯电子科技有限公司IPB200N25N3 G深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567黄Email:1585681270@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司IPB200N25N3 G深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市拓亿芯电子有限公司IPB200N25N3 G深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
13510175077		刘先生,李小姐Email:tyxliujian@163.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司IPB200N25N3 G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司IPB200N25N3 G深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
18922805453，18929374037，18922803401		连Email:seven@7-ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IPB200N25N3 G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城IPB200N25N3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳诚思涵科技有限公司IPB200N25N3 G深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司IPB200N25N3 G华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市斌腾达科技有限公司IPB200N25N3 G深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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万三科技（深圳）有限公司IPB200N25N3 G深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
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深圳市凌特半导体科技有限公司IPB200N25N3 G广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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IPB200N25N3 GMOSFET N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO698.79 Kbytes共11页IPB200N25N3 G的PDF下载地址无
IPB200N25N3 G连续漏极电流（Id）（25°C 时）：64A 漏源电压（Vdss）：250V 栅源极阈值电压：4V @ 270?A 漏源导通电阻：20mΩ @ 64A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W (Tc) 类型：N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO758.84 Kbytes共11页IPB200N25N3 G的PDF下载地址无
IPB200N25N3 G的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		IPB200N25N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-channel POWER MOS1000+:￥25.37
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Mouser 贸泽电子		IPB200N25N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 31:¥47.4148
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立创商城		IPB200N25N3 GInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：64A 漏源电压（Vdss）：250V 栅源极阈值电压：4V @ 270?A 漏源导通电阻：20mΩ @ 64A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W (Tc) 类型：N沟道1+:￥37.83
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IPB200N25N3 G的相关型号
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